[发明专利]一种大尺寸半导体单晶生长系统有效
| 申请号： | 202110376840.8 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113174630B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;徐森锋;付莉杰;王阳;李晓岚;欧欣;宋瑞良;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聂旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种大尺寸半导体单晶生长系统，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及大尺寸尤其是超长长度晶体的生长系统。系统包括2个或2个以上的主体立柱，设置在主体立柱之间的主炉体，主炉体为开放的圆筒，系统还包括与主炉体配合的晶体生长空间的控制装置以及设置在隔板上的原料注入装置。采用本装置，炉体随着晶体的长大而伸长，减小热场对流对晶体质量的影响；原料注入装置可以实现对承载注入系统的冷却，可以在较小的坩埚内通过原料注入实现连续合成进行晶体生长，节约能源和相关的耗材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 半导体 生长 系统 | ||
【主权项】：
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