[发明专利]一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器有效
| 申请号： | 202110374953.4 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112798126B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;H01L23/34 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，属于功率半导体器件技术领域。本发明的温度传感器由于碳化硅的N型和P型半导体上的压降分别是正温度系数和负温度系数，因此两个电极上的压降差随温度的变化率将被放大。本发明的温度传感器具有较大的测温范围，测温灵敏度高，并且可以单片集成于碳化硅功率半导体中，工艺兼容。该温度传感器通过P型区与主器件进行电学隔离，温度传感器和主器件之间的工作状态互相不受到影响。此外，由于P型或N型半导体中的电流较小，因此N型和P型半导体中的电流不会相互影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 碳化硅 集成 温度传感器 | ||
【主权项】：
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