[发明专利]一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器

权利要求书

1.一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，包括第一PAD区域（1）、第二PAD区域（2）、第三PAD区域（3）、P型阱区（4）、N型阱区（5）、第一金属（6）、第二金属（7）、第三金属（8）、第一欧姆接触区域（9）、第二欧姆接触区域（10）和第三欧姆接触区域（11）；

所述N型阱区（5）和所述第二欧姆接触区域（10）间隔位于所述P型阱区（4）中；所述欧姆接触区域（9）位于所述N型阱区（5）中；所述第三欧姆接触区域（11）位于所述P型阱区（4）中，且连接所述P型阱区（4）和N型阱区（5）；

所述第三欧姆接触区域（11）由第一金属（6）引伸到第一PAD区域（1），所述第一欧姆接触区域（9）由第二金属（7）引伸到第二PAD区域（2），所述第二欧姆接触区域（10）由第三金属（8）引伸到第三PAD区域（3）；

由第一PAD区域形成的第一电极同时连接P型阱区（4）和N型阱区（5），由第二PAD区域形成的第二电极连接N型阱区（5），由第三PAD区域形成的第三电极连接P型阱区（4）；分别在第二电极和第三电极上施加电流，此时第二电极与第三电极之间的电压差与温度之间满足近似线性的关系，通过拟合校准，可以通过测试第二电极与第三电极之间的电压差来表征器件的工作温度。

2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，所述P型阱区（4）采用铝离子注入形成。

3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，所述N型阱区（5）采用磷离子注入形成。

4.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，所述P型阱区（4）的掺杂浓度为1e15cm^-3至1e20cm^-3，和/或，所述N型阱区（5）的掺杂浓度为1e15cm^-3至1e19cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，所述P型阱区（4）的注入深度高于所述N型阱区（5）。

6.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，第二欧姆接触区域（10）采用和所述P型阱区（4）相同的离子注入类型形成。

7.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，第二欧姆接触区域（10）的掺杂浓度范围为1e18cm^-3至1e21cm^-3。

8.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，所述第一欧姆接触区域（9）采用和所述N型阱区（5）相同的离子注入类型形成。

9.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，所述第一欧姆接触区域（9）的掺杂浓度范围为1e18cm^-3至1e22cm^-3。

10.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的碳化硅可集成温度传感器，其特征在于，所述第一金属（6）、所述第二金属（7）和所述第三金属（8）采用铝。