[发明专利]工艺优化的功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110363338.3 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN112928167A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈龙 | 申请（专利权）人： | 杭州宏晟微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及工艺优化的功率半导体器件及其制造方法，该方法包括在第一掺杂类型的半导体衬底中形成沟槽，在所述沟槽中形成第一介质层和第二介质层；去除沟槽顶部分区域一定深度的第一介质层；去除沟槽内的第二介质层，形成第二凹槽结构；在第二凹槽内形成栅氧，使凹槽侧壁底部氧化层由第一介质层、栅氧构成，厚度较厚，形成无缝隙填充的导电材料；选择性去除沟槽顶的导电材料使导电材料分离一定距离，在沟槽中形成第三凹槽和第四凹槽；在所述第三凹槽和第四凹槽填充第三介质层，减少屏蔽导体和栅极导体之间短接、漏电风险，优化GS间的电容参数，从而可以提高功率半导体器件的良率，减少可靠性风险。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 优化 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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