[发明专利]有效去除硅片表面金属的清洗方法在审
| 申请号： | 202110361830.7 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN112928017A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杉原一男;宣丽英 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种有效去除硅片表面金属的清洗方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在SC1中硅片表面由于H2O2的氧化作用而生成氧化膜。第二步：在O3W中由于O3的氧化作用，硅片表面会形成一层臭氧氧化膜，金属杂质会被氧化进入臭氧氧化层或着被吸附在臭氧氧化膜上。第三步：硅片通过BHF腐蚀液进行清洗，BHF腐蚀液为HF和NH4F的混合液。第四步：BHF处理后，保持长时间漂洗，使硅片表面重新形成新的自然氧化膜。第五步：清洗完的硅片采用45s的慢提拉过程并送至红外干燥，完成去除硅片表面金属的清洗过程。具有操作简单、清洗效果好和运行稳定性高的特点。解决了金属Al、Fe颗粒难去除的问题。提高产品的质量稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 去除 硅片 表面 金属 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
