[发明专利]有效去除硅片表面金属的清洗方法

权利要求书

1.一种有效去除硅片表面金属的清洗方法，其特征在于：包括如下操作步骤：

第一步：在SC1中硅片表面由于H2O2的氧化作用而生成氧化膜，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行；

第二步：在O3W中由于O3的氧化作用，硅片表面会形成一层臭氧氧化膜，金属杂质会被氧化进入臭氧氧化层或着被吸附在臭氧氧化膜上；

第三步：硅片通过BHF腐蚀液进行清洗，BHF腐蚀液为HF和NH4F的混合液，NH4F作为缓冲剂，在HF作用下，硅片表面的氧化膜完全被HF溶解，吸附在氧化膜表面的金属杂质也随着氧化膜的去除而被去除；

第四步：BHF处理后，可用低浓度的SC1、SC2等具有氧化性的试剂去除残留的有机物残渣或螯合剂，硅片表面被重新氧化，形成新的氧化膜；或BHF处理后，保持长时间漂洗，使硅片表面重新形成新的自然氧化膜；

第五步：清洗完的硅片采用45s的慢提拉过程并送至红外干燥，完成去除硅片表面金属的清洗过程。

2.根据权利要求1所述的有效去除硅片表面金属的清洗方法，其特征在于：由于硅片表面的氧化膜被完全去除，其表面会呈疏水性，而疏水性的硅片表面容易再次沾污颗粒，在BHF中加入了亲水性的表面活性剂或水溶性的金属螯合剂，在表面活性剂或亲水性螯合剂的作用下，BHF清洗后，硅片表面仍为亲水性，完全被水覆盖。

3.根据权利要求1所述的有效去除硅片表面金属的清洗方法，其特征在于：SC1由NH4OH、H2O2、H2O配比而成，NH4OH:H2O2:H2O的配比浓度为1:3:30～1:6:30，在SC1中温度为35℃～65℃，清洗时间为10min。

4.根据权利要求3所述的有效去除硅片表面金属的清洗方法，其特征在于：在SC1中清洗硅片表面时，同时采用兆声波进行去金属杂质。

5.根据权利要求1所述的有效去除硅片表面金属的清洗方法，其特征在于：在O3W中清洗硅片表面时，O3W在常温下，浓度为2～10ppm，清洗时间为5min。

6.根据权利要求1所述的有效去除硅片表面金属的清洗方法，其特征在于：BHF腐蚀液中HF和NH4F浓度配比为7:1，在BHF腐蚀液中温度为25℃，清洗时间为30s。

7.根据权利要求1所述的有效去除硅片表面金属的清洗方法，其特征在于：红外干燥时的温度为70℃～90℃。