[发明专利]一种沟槽栅极结构器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110361602.X | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN115172450A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘聪慧;李鹏;季明华 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽结构器件及其制作方法，器件包括：衬底，具有第一导电性，具有相对设置的第一主面与第二主面；漂移区，形成于衬底的第一主面，漂移区具有第一导电性，漂移区的载流子浓度低于衬底；阱区，形成于漂移区上，阱区具有与所述第一导电性相反的第二导电性；沟槽栅极，穿过所述阱区达到所述漂移区沟槽栅极两侧底角具有向外展宽的缺口形状，缺口形状的内角小于90°；重掺杂区，形成于阱区中并位于沟槽栅极的侧缘，重掺杂区具有第一导电性；重掺杂区上设置有电极，电极与所述重掺杂区接触并在所述阱区中至少部分地延伸。本发明工艺简单，可提供更好的VDMOS和IGBT击穿电压，同时兼顾开态电阻和氧化物的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 栅极 结构 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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