[发明专利]静电放电（ESD）保护电路及其操作方法在审
| 申请号： | 202110349601.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113471192A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 叶昱宏;林文杰;李介文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 静电放电(ESD)保护电路包括第一二极管、第二二极管和ESD钳位电路。第一二极管在半导体晶圆中，并且耦接到输入输出(IO)焊盘。第二二极管在半导体晶圆中，并且耦接到第一二极管和IO焊盘。ESD钳位电路在半导体晶圆中，并且耦接到第一二极管和第二二极管。ESD钳位电路在半导体晶圆中包括第一信号抽头区域。第一信号抽头区域耦接到第一电压源。第一二极管耦接到ESD钳位电路并被配置为与ESD钳位电路共享第一信号抽头区域。本发明的实施例还提供了一种操作ESD保护电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 esd 保护 电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
