[发明专利]装置结构在审
| 申请号： | 202110346525.0 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113555312A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 游力蓁;张家豪;黄麟淯;庄正吉;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种装置结构。装置结构包括半导体纳米结构、外延半导体材料部分、层状堆叠、背侧金属内连线结构以及导电路径。半导体纳米结构与外延半导体材料部分形成于基板的前侧表面上，而平坦化介电层形成其上。形成凹陷空洞以露出第一主动区与外延半导体材料部分。金属盖结构形成于第一主动区上，而牺牲金属材料部分形成于外延半导体材料部分上。非等向蚀刻牺牲金属材料部分与外延半导体材料部分的下方部分以形成连接物通孔空洞，并以硬掩模层掩模金属盖结构。形成连接物通孔结构于连接物通孔空洞中。前侧金属内连线结构形成于连接物通孔结构与金属盖结构上，而背侧通孔结构穿过连接物通孔结构上的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
