[发明专利]装置结构

权利要求书

1.一种装置结构，包括：

一半导体纳米结构，位于一背侧绝缘基质层的前侧表面上，并包含：

至少一半导体通道板；

一栅极结构；以及

一第一主动区与一第二主动区，位于该至少一半导体通道板的末端部分并含有一源极区与一漏极区；

一外延半导体材料部分，与该半导体纳米结构横向分开并位于该背侧绝缘基质层上；

一层状堆叠，由下至上包括一平坦化介电层与一通孔层介电层，并位于该半导体纳米结构与该外延半导体材料部分上；

一背侧金属内连线结构，位于该背侧绝缘基质层的下表面上；以及

一导电路径，连接该第一主动区与该背侧金属内连线结构并含有一连接物通孔结构以接触该外延半导体材料部分的侧壁，其上表面在含有该平坦化介电层与该通孔层介电层之间的界面的水平平面中。