[发明专利]具有两个相变存储器的电子芯片在审
| 申请号： | 202110343158.9 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113471358A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | R·贝特隆;F·亚瑙德 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有两个相变存储器的电子芯片。电子芯片包括：第一基本单元的第一阵列和第二基本单元的第二阵列，第一基本单元和第二基本单元形成两种类型的相变存储器，相变存储器具有由相变材料的体积形成的存储元件，该相变材料的体积取决于所存储的位而具有晶态或非晶态。每个第一基本单元包括第一相变材料的体积，并且每个第二基本单元包括与第一材料不同的第二相变材料的体积。每个基本单元包括加热连接器，加热连接器被配置用于加热电流的通道，该加热电流适于引起基本单元的相变材料的体积的相变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 两个 相变 存储器 电子 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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