[发明专利]蚀刻方法及CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明提供一种蚀刻方法及CMOS图像传感器的制造方法，所述蚀刻方法包括：提供一衬底，衬底上形成有待蚀刻膜层以及位于待蚀刻膜层上的图形化的光刻胶层；执行离子注入工艺；以及，将衬底置于双频容性耦合等离子体蚀刻机台的工艺腔中，通入惰性气体，在第一腔体压力下进行电离预处理，电离预处理的低频电源的功率为零；通入蚀刻气体，在第二腔体压力下执行蚀刻。通过电离预处理产生等离子体，利用等离子体去中和光刻胶层表面的静电，从而消除光刻胶层表面的静电，进而避免干法蚀刻时的电弧放电损伤衬底的问题；通过电离预处理产生的等离子体，在开始干法蚀刻时可较快激发蚀刻气体的进一步电离，提高了等离子体的产生速率，从而提高了干法蚀刻的效率。