[发明专利]蚀刻方法及CMOS图像传感器的制造方法有效
| 申请号： | 202110342975.2 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113078178B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 候星伊;孟凡顺 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 cmos 图像传感器 制造 | ||
1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有待蚀刻膜层以及位于所述待蚀刻膜层上的图形化的光刻胶层；
执行离子注入工艺；以及，
将所述衬底置于双频容性耦合等离子体蚀刻机台的工艺腔中；通入惰性气体，在第一腔体压力下进行电离预处理，所述电离预处理的低频电源的功率为零，所述图形化的光刻胶层在执行所述离子注入工艺后累积有正电荷，所述正电荷在所述电离预处理过程中被中和；通入蚀刻气体，在第二腔体压力下执行蚀刻，所述第一腔体压力大于所述第二腔体压力。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一腔体压力为100~200mTorr，所述第二腔体压力为50~100mTorr。
3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述惰性气体的流量为500~1000sccm。
4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气。
5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述电离预处理的高频电源的功率为300-500W。
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述电离预处理及所述蚀刻中高频电源的频率为50~70Mhz，低频电源的频率为1~5Mhz。
7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述电离预处理的时间为3~10秒。
8.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，利用如权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法，包括：
提供一衬底，所述衬底为具有像素区的硅衬底，所述像素区上形成有待蚀刻膜层以及位于所述待蚀刻膜层上的图形化的光刻胶层；
执行离子注入工艺；以及，
将所述衬底置于双频容性耦合等离子体蚀刻机台的工艺腔中；通入惰性气体，在第一腔体压力下进行电离预处理，所述电离预处理的低频电源功率为零，所述图形化的光刻胶层在执行所述离子注入工艺后累积有正电荷，所述正电荷在所述电离预处理过程中被中和；通入蚀刻气体，在第二腔体压力下执行蚀刻，所述第一腔体压力大于所述第二腔体压力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
