[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110342498.X | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113284995A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括在衬底上依次外延生长第一AlN缓冲层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，第一AlN缓冲层包括交替层叠的第一AlN层和第二AlN层，在生长第一AlN层时，向反应腔内通入氧气。在生长第一AlN层时向反应腔内通入氧气，使得有一部分氧原子替代AlN中的氮原子，还有一部分氧原子会成为间隙原子，由于氧原子的半径比氮原子的半径大，这两部分氧原子会使AlN的晶格产生一定的畸变，增加AlN的晶格常数，缓解衬底和AlN间的晶格失配，能够进一步减少缺陷，提高外延片的晶体质量，提高深紫外发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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