[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110342498.X | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113284995A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种深紫外发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底(10)；
在所述衬底(10)上依次外延生长第一AlN缓冲层(20)、n型AlGaN层(40)、多量子阱层(50)和p型层(60)，其中，所述第一AlN缓冲层(20)为周期性结构，所述周期性结构包括交替层叠的第一AlN层(201)和第二AlN层(202)，所述第一AlN层(201)采用物理气相沉积的方式生长，所述第二AlN层(202)采用金属有机化合物化学气相沉积的方式生长，在生长所述第一AlN层(201)时，向反应腔内通入氧气。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沿所述外延片生长的方向，生长各个所述第一AlN层(201)时，向反应腔内通入的氧气流量逐层递减。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，氧气的流量为1sccm～5sccm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，沿所述外延片生长的方向，各个所述第一AlN层(201)的溅射功率逐层递增。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，相邻所述第一AlN层(201)的溅射功率相差280W～320W。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，最靠近所述衬底(10)的所述第一AlN层(201)的溅射功率为2000W～5000W。
7.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一AlN层(201)的生长压力为5mtorr～10mtorr。
8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二AlN层(202)的生长温度为1000℃～1200℃。
9.一种深紫外发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底(10)和依次形成在所述衬底(10)上的第一AlN缓冲层(20)、n型AlGaN层(40)、多量子阱层(50)和p型层(60)，其中，所述第一AlN缓冲层(20)为周期性结构，所述周期性结构包括交替层叠的第一AlN层(201)和第二AlN层(202)，所述第一AlN层(201)采用物理气相沉积的方式生长，所述第二AlN层(202)采用金属有机化合物化学气相沉积的方式生长，在生长所述第一AlN层(201)时，向反应腔内通入氧气。
10.根据权利要求9所述的外延片，其特征在于，所述第一AlN层(201)和所述第二AlN层(202)交替层叠的周期数为2～5。
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