[发明专利]一种晶圆级层数可控硫化钼及其制备方法

摘要

本发明提供一种晶圆级层数可控硫化钼及其制备方法。该制备方式主要采用两步法，具体包括：首先利用原子层沉积系统将固态钼源加热气化，之后分别将钼源和氧源以气体脉冲的方式输运至衬底表面，利用表面饱和吸附以及自限反应在衬底表面生成晶圆级、厚度可控的MoO3，之后将硫源和长有MoO3的衬底置入管式炉中，将MoO3硫化生成MoS2，从而获得晶圆级、层数可控的MoS2。本申请提供的制备方法与现有技术相比，可以通过调控制备的MoO3厚度精确控制所得MoS2的层数，具有较好的可控性。利用上述方法已经成功得到了单层(0.7nm)、双层(1.4nm)和多层(≥2.1nm)的层数可控硫化钼，并且尺寸可以达到晶圆级(8in.)。