[发明专利]绝缘栅双极型晶体管装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202110332803.7 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN115148801A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 安俊杰;何志;保罗·奥尔甘蒂尼 | 申请（专利权）人： | 无锡锡产微芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人： | 李建航 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)装置及其制造方法。根据本公开内容的IGBT装置包括：第一导电类型的衬底；以及多个沟槽，其从衬底的上表面向下形成以具有沿第一方向延伸的彼此平行的条形形状并且其中分别设置有多个栅极。在沟槽之间形成有源区，并且有源区具有沿第一方向延伸的第一导电类型的源极区和第二导电类型的接触区，接触区具有在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度和不同于第一宽度的第二宽度，第一宽度和第二宽度沿第一方向交替布置，并且沟槽具有在第二方向上的均匀的第三宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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