[发明专利]绝缘栅双极型晶体管装置及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管装置，包括：

第一导电类型的衬底；以及

多个沟槽，从所述衬底的上表面向下形成以具有沿第一方向延伸的彼此平行的条形形状并且其中分别设置有多个栅极，其中，在所述沟槽之间形成有源区，并且所述有源区具有沿所述第一方向延伸的第一导电类型的源极区和第二导电类型的接触区，

其特征在于，

所述接触区具有在垂直于所述第一方向的第二方向上的第一宽度和不同于所述第一宽度的第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度沿所述第一方向交替布置，以及

所述多个栅极中的每个具有在所述第二方向上的均匀的第三宽度。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于，

所述有源区包括第一导电类型的载流子阻挡层和设置在所述载流子阻挡层上的第二导电类型的沟道层，以及

所述源极区和所述接触区设置在所述沟道层上。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于，

所述接触区的深度大于所述源极区的深度。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于，

所述第二宽度大于所述第一宽度，以及

具有所述第二宽度的接触区的第二绝缘栅双极型晶体管元胞的沟道掺杂浓度大于10¹⁸cm^-3，使得所述第二绝缘栅双极型晶体管元胞是常断的。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于包括：

源极金属层，与所述源极区和所述接触区接触。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于，

在所述衬底的下表面上设置有第二导电类型的集电极层和第一导电类型的电场截止层。

7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于包括：

集电极金属层，与所述集电极层接触。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于，

所述第一导电类型是N型并且所述第二导电类型是P型。

9.一种绝缘栅双极型晶体管装置，包括：

第一导电类型的衬底；以及

多个沟槽，从所述衬底的上表面向下形成以具有沿第一方向延伸的彼此平行的条形形状并且其中分别设置有多个栅极，其中，在所述沟槽之间形成有源区，并且所述有源区具有沿所述第一方向延伸的第一导电类型的源极区和第二导电类型的接触区，

其特征在于，

所述多个栅极中的每个具有在垂直于所述第一方向的第二方向上的第一宽度和不同于所述第一宽度的第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度沿所述第一方向交替布置，以及

所述接触区具有在所述第二方向上的均匀的第三宽度。

10.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管装置，其特征在于，

所述第二宽度大于所述第一宽度，以及

具有所述第二宽度的栅极的第二绝缘栅双极型晶体管元胞的沟道掺杂浓度大于10¹⁸cm^-3，使得所述第二绝缘栅双极型晶体管元胞是常断的。

11.一种制备绝缘栅双极型晶体管装置的方法，其特征在于包括：

从第一导电类型的衬底的上表面向下形成多个沟槽，使得所述多个沟槽具有沿第一方向延伸的彼此平行的条形形状；

在所述多个沟槽中分别设置多个栅极；以及

使用同一掩模在所述沟槽之间形成的有源区的每个中形成第一导电类型的源极区和第二导电类型的接触区，使得所述接触区具有在垂直于所述第一方向的第二方向上的第一宽度和不同于所述第一宽度的第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度沿所述第一方向交替布置。