[发明专利]一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构在审
| 申请号： | 202110330168.9 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097183A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王韬;费井汉;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于高密封装技术领域，具体为一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构。本发明结构通过信号传输装置、设置在上层转接板的TSV准同轴结构、下层转接板的TSV准同轴结构、以及BGA焊球完成信号传输，实现垂直互连。由于信号在传输过程中，转接板TSV(硅通孔)上的电流在上、下两层转接板之间会激励起径向波，该径向波会与TSV(硅通孔)中传输的TEM波相互耦合，影响其应用范围；因此在信号传输装置两侧各设有的一列等距离排列的TSV铜柱以减小信号在传输过程中出现的电磁干扰，进一步拓宽使用频率范围。与现有技术相比，本发明结构能够在0‑40Ghz的频率范围实现良好的三维连接；其结构简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅通孔 射频 垂直 互连 传输 结构 | ||
【主权项】：
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