[发明专利]包括外延源极线和位线的存储阵列在审
| 申请号： | 202110327370.6 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113594166A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 杨柏峰;杨世海;张志宇;徐志安;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11551;H01L27/11526;H01L27/11563;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及包括外延源极线和位线的存储阵列。公开了一种3D存储阵列及其形成方法，其中，水平合并并且垂直不合并的外延源极/漏极区域被用作源极线和位线。在实施例中，一种存储阵列包括：第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一外延区域，电耦合到第一沟道区域；第二外延区域，在与半导体衬底的主表面垂直的方向上位于第一外延区域正上方；电介质材料，在第一外延区域和第二外延区域之间，第二外延区域通过电介质材料与第一外延区域隔离；栅极电介质，围绕第一沟道区域；以及栅极电极，围绕栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 外延 源极线 存储 阵列 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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