[发明专利]一种III族氮化物增益型光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种III族氮化物增益型光电探测器及其制备方法，包括衬底外延层和内嵌电极，所述外延层包括自衬底向上沿外延生长方向依次为氮化物缓冲层、n型掺杂的氮化物欧姆接触层、n型掺杂氮化物组分过渡层、非掺杂氮化物薄插入层、具有p型电导的氮化物层、非故意掺杂多层InxGa1‑xN与InyGa1‑yN交替生长的光吸收层和n型掺杂的氮化物欧姆接触层，所述n型掺杂的氮化物欧姆接触层上设有下凹槽，所述非故意掺杂多层InxGa1‑xN与InyGa1‑yN交替生长的光吸收层上设有上凹槽，所述内嵌电极包括上内嵌电极金属叠层和下内嵌电极金属叠层。本发明可获得厚度满足光吸收要求且晶体质量更好的InGaN光吸收层，且可获得高光响应度、高光电增益、以及低工作电压。本发明可广泛应用在半导体探测器技术领域。