[发明专利]一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺有效
| 申请号： | 202110317394.3 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113066730B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘道国 | 申请（专利权）人： | 深圳市尚鼎芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/32;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/00 |
| 代理公司： | 广东中禾共赢知识产权代理事务所(普通合伙) 44699 | 代理人： | 熊士昌 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区西丽街道西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，包括以下步骤：S1、微孔硅陶瓷散热片安装，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构。本发明有益效果是：通过设置的微孔硅陶瓷散热片，由于陶瓷本身微孔洞的结构，极大的增加了与空气接触的散热面积，大大增强了散热效果，使得MOS芯片本体的散热效果更佳，以及使得MOS芯片本体被弹性固定在支撑板和微孔硅陶瓷散热片之间，这样就能有效的缓解由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力，从而导致的芯片损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 微孔 陶瓷 电流 mosfet 封装 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
