[发明专利]高压阻断Ⅲ-Ⅴ型半导体器件在审
| 申请号： | 202110312412.9 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451300A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 金炯男;J·U·海因勒;M·伊马姆;B·潘德亚;R·塔迪康达;M·沃尔韦尔克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：IV型半导体基底衬底；彼此电隔离的第一和第二器件区域；在第一器件区域上形成的III‑V型半导体材料的第一区；在第二器件区域上形成的III‑V型半导体材料的第二区，III‑V型半导体材料的第二区与III‑V型半导体材料的第一区横向电绝缘；在第一区中整体形成的第一高电子迁移率晶体管；以及在第二区中整体形成的第二高电子迁移率晶体管。第一和第二高电子迁移率晶体管串联连接。第一高电子迁移率晶体管的源极端子电连接到第一器件区域。第一器件区域通过第一双向电压阻断器件与基底衬底的下邻固有掺杂区电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 阻断 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
