[发明专利]场效应晶体管（FET）堆叠及其形成方法在审
| 申请号： | 202110308251.6 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113540219A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | S·M·尚克;A·K·斯塔珀;V·贾因;J·J·埃利斯-莫纳甘 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;杨晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种场效应晶体管(FET)堆叠及其形成方法。该FET堆叠包括位于衬底上方的第一晶体管。第一晶体管包括第一有源半导体材料和第一栅极结构，该第一有源半导体材料包括位于第一组源极端子/漏极端子之间的第一沟道区域，以及该第一栅极结构位于第一沟道区域上方。第一栅极结构包括位于第一沟道区域上方的具有第一厚度的第一栅极绝缘体。第二晶体管位于衬底上方并与第一晶体管水平分离。第二晶体管的第二栅极结构可以包括位于第二沟道区域上方的具有第二厚度的第二栅极绝缘体，第二厚度大于第一厚度。共享栅极节点可以耦接到第一栅极结构和第二栅极结构中的每一者。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 fet 堆叠 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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