[发明专利]场效应晶体管（FET）堆叠及其形成方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管(FET)堆叠，包括：

第一晶体管，其位于衬底上方，所述第一晶体管包括：

第一有源半导体材料，其包括位于第一组源极端子/漏极端子之间的第一沟道区域，以及

第一栅极结构，其位于所述第一沟道区域上方，其中所述第一栅极结构包括位于所述第一沟道区域上方的具有第一厚度的第一栅极绝缘体；第二晶体管，其位于所述衬底上方并与所述第一晶体管水平分离，所述第二晶体管包括：

第二有源半导体材料，其包括位于第二组源极端子/漏极端子之间的第二沟道区域，其中所述第二组源极端子/漏极端子中的被选择的一个端子耦接到所述第一晶体管的所述第一组源极端子/漏极端子中的被选择的一个端子，以及

第二栅极结构，其位于所述第二沟道区域上方，其中所述第二栅极结构包括位于所述第二沟道区域上方的具有第二厚度的第二栅极绝缘体，所述第二厚度大于所述第一厚度；以及

共享栅极节点，其耦接到所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每一者。

2.根据权利要求1所述的FET堆叠，进一步包括第三晶体管，其位于所述衬底上方并水平地位于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，所述第三晶体管包括：

第三有源半导体材料，其包括位于第三组源极端子/漏极端子之间的第三沟道区域，其中所述第一组源极端子/漏极端子中的所述被选择的一个端子通过所述第三组源极端子/漏极端子耦接到所述第二组源极端子/漏极端子中的所述被选择的一个端子；以及

第三栅极结构，其位于所述第三沟道区域上方，其中所述第三栅极结构包括位于所述第三沟道区域上方的具有第三厚度的第三栅极绝缘体，其中所述第三厚度大于所述第一厚度且小于所述第二厚度。

3.根据权利要求2所述的FET堆叠，其中，所述第一厚度与所述第二厚度之间的差近似等于所述第二厚度与所述第三厚度之间的差。

4.根据权利要求1所述的FET堆叠，其中，所述第一栅极结构的栅极长度近似等于所述第二栅极结构的栅极长度。

5.根据权利要求1所述的FET堆叠，进一步包括：

至少一个沟槽隔离物，其位于所述衬底上并位于所述第一有源半导体材料与所述第二有源半导体材料之间；以及

掩埋绝缘体层，其位于所述第一有源半导体材料和所述第二有源半导体材料中的每一者的直接下方。

6.根据权利要求1所述的FET堆叠，其中，所述第一有源半导体材料和所述第二有源半导体材料每一者都掺杂有氮(N)，并且其中，所述第二有源半导体材料的氮浓度低于所述第一有源半导体材料的氮浓度。

7.根据权利要求1所述的FET堆叠，其中，所述第二栅极绝缘体的所述第二厚度的尺寸被设定为使得所述第二晶体管的阈值电压大于所述第一晶体管的阈值电压。

8.根据权利要求1所述的FET堆叠，其中，所述FET堆叠包括位于射频(RF)开关电路内的串联FET堆叠或并联FET堆叠中的一者。

9.一种场效应晶体管(FET)堆叠，包括：

第一晶体管，其位于衬底上方，所述第一晶体管包括：

第一有源半导体材料，其具有第一导电掺杂剂浓度并包括位于第一组源极端子/漏极端子之间的第一沟道区域，以及

第一栅极结构，其位于所述第一沟道区域上方；

第二晶体管，其位于所述衬底上方并与所述第一晶体管水平分离，所述第二晶体管包括：

第二有源半导体材料，其具有第二导电掺杂剂浓度并包括位于第二组源极端子/漏极端子之间的第二沟道区域，其中所述第二导电掺杂剂浓度大于所述第一导电掺杂剂浓度，并且所述第二组源极端子/漏极端子中的被选择的一个端子耦接到所述第一晶体管的所述第一组源极端子/漏极端子中的被选择的一个端子，以及

第二栅极结构，其位于所述第二沟道区域上方；以及

共享栅极节点，其耦接到所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每一者。