[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202110306965.3 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113451117A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 谭思博 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，防止与晶片的外周剩余区域相邻的器件的损伤。该方法包含如下工序：保护部件配设工序，将保护部件(14)配设于晶片的正面(2a)；环状改质层形成工序，沿着外周剩余区域形成第一环状改质层(24)和第二环状改质层(26)；分割预定线改质层形成工序，沿着分割预定线形成分割预定线改质层(28)；和分割工序，对晶片的背面(2b)进行磨削而将晶片形成为规定的厚度，通过从分割预定线改质层沿分割预定线延伸的裂纹(28′)将晶片分割成各个器件芯片。在分割预定线改质层形成工序中，按照分割预定线改质层的始点(28a)和终点(28b)位于第一、第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
