[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，防止与晶片的外周剩余区域相邻的器件的损伤。该方法包含如下工序：保护部件配设工序，将保护部件(14)配设于晶片的正面(2a)；环状改质层形成工序，沿着外周剩余区域形成第一环状改质层(24)和第二环状改质层(26)；分割预定线改质层形成工序，沿着分割预定线形成分割预定线改质层(28)；和分割工序，对晶片的背面(2b)进行磨削而将晶片形成为规定的厚度，通过从分割预定线改质层沿分割预定线延伸的裂纹(28′)将晶片分割成各个器件芯片。在分割预定线改质层形成工序中，按照分割预定线改质层的始点(28a)和终点(28b)位于第一、第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点。

技术领域

本发明涉及将晶片分割成各个器件芯片的晶片的加工方法，该晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域。

背景技术

将在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有IC、LSI等多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片用于移动电话、个人计算机等电子设备。

作为将晶片分割成各个器件芯片的方法，提出了如下的技术：将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的内部，向晶片照射激光光线而沿着分割预定线形成改质层，然后，对晶片施加外力而分割成各个器件芯片(例如参照专利文献1)。

作为对晶片施加外力的方法，还提出了如下的技术：通过在晶片的正面上配设保护部件并对晶片的背面进行磨削，将晶片薄化至期望的厚度，并且使裂纹从改质层到达正面而将晶片分割成各个器件芯片(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

专利文献2：日本特许第4358762号公报

但是，由于在晶片的外周剩余区域的外周面上实施了倒角加工，因此难以在分割预定线的延长线上的实施了倒角加工的区域中形成改质层。因此，当在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层之后对晶片施加外力时，有时由于在外周剩余区域中的实施了倒角加工的区域中未形成改质层而导致无序地产生裂纹，由此存在与外周剩余区域相邻的器件损伤的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供能够防止与晶片的外周剩余区域相邻的器件的损伤的晶片的加工方法。

根据本发明，提供一种晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件芯片，该晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：保护部件配设工序，将保护部件配设在该晶片的正面上；环状改质层形成工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该晶片的背面定位于该晶片的与该外周剩余区域对应的内部而向该晶片照射激光光线，沿着该外周剩余区域形成第一环状改质层和围绕该第一环状改质层的第二环状改质层；分割预定线改质层形成工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该晶片的背面定位于该晶片的与该分割预定线对应的内部而向该晶片照射激光光线，沿着该分割预定线形成分割预定线改质层；以及分割工序，对该晶片的背面进行磨削而将该晶片形成为规定的厚度，并且通过从该分割预定线改质层沿该分割预定线延伸的裂纹将该晶片分割成各个器件芯片，在该分割预定线改质层形成工序中，按照该分割预定线改质层的始点和终点位于该第一环状改质层与该第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点。

优选的是，将在该环状改质层形成工序中形成的该第一环状改质层与该第二环状改质层之间的间隔设定为300μm～1000μm。

根据本发明，即使裂纹从分割预定线改质层的始点或终点无秩序地延伸，裂纹也会被第一环状改质层和第二环状改质层阻断，因此裂纹不会到达器件。因此，根据本发明的晶片的加工方法，能够防止与晶片的外周剩余区域相邻的器件的损伤。

附图说明

图1是示出实施保护部件配设工序的状态的立体图。