[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件芯片，该晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，

该晶片的加工方法包含如下的工序：

保护部件配设工序，将保护部件配设在该晶片的正面上；

环状改质层形成工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该晶片的背面定位于该晶片的与该外周剩余区域对应的内部而向该晶片照射激光光线，沿着该外周剩余区域形成第一环状改质层和围绕该第一环状改质层的第二环状改质层；

分割预定线改质层形成工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该晶片的背面定位于该晶片的与该分割预定线对应的内部而向该晶片照射激光光线，沿着该分割预定线形成分割预定线改质层；以及

分割工序，对该晶片的背面进行磨削而将该晶片形成为规定的厚度，并且通过从该分割预定线改质层沿该分割预定线延伸的裂纹将该晶片分割成各个器件芯片，

在该分割预定线改质层形成工序中，按照该分割预定线改质层的始点和终点位于该第一环状改质层与该第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

将在该环状改质层形成工序中形成的该第一环状改质层与该第二环状改质层之间的间隔设定为300μm～1000μm。