[发明专利]具有降低的正向恢复电压的反向导通绝缘栅双极晶体管在审
| 申请号： | 202110295500.2 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113497136A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | C·P·桑多;M·戴内塞;W·勒斯纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有降低的正向恢复电压的反向导通绝缘栅双极晶体管。根据功率半导体器件的实施例，器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括具有IGBT的IGBT区和具有二极管的二极管区。IGBT区包括垂直于半导体衬底的第一主表面延伸的多个第一沟槽。二极管区包括垂直于半导体衬底的第一主表面延伸的多个第二沟槽。第二沟槽中的相邻的第二沟槽之间的平均横向间隔大于第一沟槽中的相邻的第一沟槽之间的平均横向间隔。如描述对应的生产方法那样，在此描述了附加的功率半导体器件实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 正向 恢复 电压 向导 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
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