[发明专利]MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法在审
| 申请号： | 202110292260.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113139355A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;商干兵 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30;G06F30/20;G06F115/10;G06F119/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，陷阱辅助隧穿电流为第一函数和第二函数的乘积；第一函数为与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关的函数；第二函数为和漏极电流相关的函数；第一函数包括的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs；jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流；njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素；vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数；jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs分别具有温度相关函数项，各参数的温度相关函数项都展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，常数项和各次项系数都为拟合参数。本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。本发明能实现对不同温度下的器件拟合，提高模型精度。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 陷阱 辅助 模型 及其 提取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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