[发明专利]MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法

说明书

本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，陷阱辅助隧穿电流为第一函数和第二函数的乘积；第一函数为与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关的函数；第二函数为和漏极电流相关的函数；第一函数包括的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs；jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流；njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素；vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数；jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs分别具有温度相关函数项，各参数的温度相关函数项都展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，常数项和各次项系数都为拟合参数。本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。本发明能实现对不同温度下的器件拟合，提高模型精度。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型。本发明还涉及一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。

背景技术

随着半导体制造技术的不断进步,CMOS工艺器件制造工艺已经发展到了纳米级，目前最小尺寸已经缩减到20纳米，而且10纳米的研发已经提上日程。随着制程的更新，对于器件的模型的要求就越来越高。一个精准的模型对于高技术的设计显得越来越重要。目前关于MOSFET陷阱辅助隧穿(trap-assisted tunneling)模型里面，被广泛应用的是一个标准化的模型，对于不同温度条件下的器件拟合只能做一些牺牲，这对于设计者而言是不利的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，能实现对不同温度下的器件拟合，提高模型精度。为此，本发明还提供一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的MOSFET陷阱辅助隧穿模型中陷阱辅助隧穿电流为第一函数和第二函数的乘积。

所述第一函数为与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关的函数；所述第二函数为和漏极电流相关的函数。

所述第一函数包括的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs。

jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流。

njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素。

vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数。

jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs分别具有温度相关函数项。

jtsswgs_t为jtsswgs的温度相关函数项，jtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，n为最高次数，从一次项到n次项的次数依次增加，jtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数。

njtsswgs_t为njtsswgs的温度相关函数项，njtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，从一次项到n次项的次数依次增加，njtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数。

vtsswgs_t为vtsswgs的温度相关函数项，vtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，从一次项到n次项的次数依次增加，vtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数。

进一步的改进是，n等于2。

进一步的改进是，jtsswgs_t的各次项中的温度为器件温度值减去室温；

njtsswgs_t的各次项中的温度为器件温度值减去室温；

vtsswgs_t的各次项中的温度为器件温度值减去室温。