[发明专利]MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法

权利要求书

1.一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：MOSFET陷阱辅助隧穿模型中陷阱辅助隧穿电流为第一函数和第二函数的乘积；

所述第一函数为与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关的函数；所述第二函数为和漏极电流相关的函数；

所述第一函数包括的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs；

jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流；

njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素；

vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数；

jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs分别具有温度相关函数项；

jtsswgs_t为jtsswgs的温度相关函数项，jtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，n为最高次数，从一次项到n次项的次数依次增加，jtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数；

njtsswgs_t为njtsswgs的温度相关函数项，njtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，从一次项到n次项的次数依次增加，njtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数；

vtsswgs_t为vtsswgs的温度相关函数项，vtsswgs_t展开为常数项、温度的一次项直至温度的n次项，从一次项到n次项的次数依次增加，vtsswgs_t的常数项和各次项系数都为拟合参数。

2.如权利要求1所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：n等于2。

3.如权利要求1所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：jtsswgs_t的各次项中的温度为器件温度值减去室温；

njtsswgs_t的各次项中的温度为器件温度值减去室温；

vtsswgs_t的各次项中的温度为器件温度值减去室温。

4.如权利要求1所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs还分别具有尺寸相关函数项；

jtsswgs由jtsswgs的尺寸相关函数项和温度相关函数项的乘积组成；

njtsswgs由njtsswgs的尺寸相关函数项和温度相关函数项的乘积组成；

vtsswgs由vtsswgs的尺寸相关函数项和温度相关函数项的乘积组成。

5.如权利要求4所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs中的尺寸相关函数项的尺寸包括MOSFET的沟道区的长度和宽度。

6.如权利要求4所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：所述第一函数的公式为：

其中，F(jtsswgs,njtsswgs,vtsswgs)表示所述第一函数，A为固定参数；Vbs表示衬底和源极之间的电压，Vth表示阈值电压。

7.如权利要求6所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：A为源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的有效宽度。

8.一种如权利要求1所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、设计不同尺寸的MOSFET；

步骤二、测量所述MOSFET的数据，利用所述MOSFET的数据拟合得到所述第二函数；

步骤三、所述MOSFET的数据中包括陷阱辅助隧穿电流的数据且所述陷阱辅助隧穿电流的数据中包括和器件工作温度相关的数据；利用和器件工作温度相关的数据进行曲线拟合得到所述第一函数的jtsswgs、njtsswgs和vtsswgs的温度相关函数项的各拟合参数。

9.如权利要求8所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法，其特征在于：n等于2。