[发明专利]三维存储器及制备三维存储器的方法

摘要

本申请提供三维存储器及制备三维存储器的方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底的一侧上形成叠层结构以及形成贯穿叠层结构的沟道结构和与沟道结构具有间距的共源极孔；经由共源极孔，去除叠层结构的栅极牺牲层以形成栅极间隙；经由共源极孔，在栅极间隙的内壁上依次形成高阻材料层、阻挡层和导电层。该方法还包括：在形成阻挡层之前，对高阻材料层进行表面活化处理。根据该制备方法，通过在形成阻挡层之前对高阻材料层进行表面活化处理，从而能够增加后续阻挡层的连续性，提高阻挡层的阻挡效果，从而提升三维存储器的性能。