[发明专利]一种R-T-B磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 202110287768.1 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN112992463A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈大崑;牟维国;黄佳莹 | 申请（专利权）人： | 福建省长汀金龙稀土有限公司;厦门钨业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/055;H01F41/02 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;邹玲 |
| 地址： | 366300 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分：R：≥30.5wt.％，R为稀土元素；Nb：0.2～0.6wt.％；Ti：0.05～0.5wt.％；B：≥0.955wt.％；Fe：58～69wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的百分比；所述R‑T‑B磁体中还含有Cu；所述R‑T‑B磁体中，所述Cu的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为0.5～3.5。本发明中的R‑T‑B磁体的配方，在制备成钕铁硼磁体材料过程中，充分发挥了Cu降低富钕相与主相之间的界面能的作用，进而显著提升了磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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