[发明专利]一种R-T-B磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种R-T-B磁体，其特征在于：其包括以下组分：R：≥30.5wt.％，R为稀土元素；

Nb：0.2～0.6wt.％；

Ti：0.05～0.5wt.％；

B：≥0.955wt.％；

Fe：58～69wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的百分比；

所述R-T-B磁体中还含有Cu；所述R-T-B磁体中，所述Cu的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为0.5～3.5。

2.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述R的含量为30～32wt.％，例如30.5wt.％、30.6wt.％、30.7wt.％或30.8wt.％；

和/或，所述R的种类包括Nd；

其中，所述Nd的含量较佳地为29～30wt.％，例如29.1wt.％、29.5wt.％、29.6wt.％、29.7wt.％或30wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比。

3.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述R的种类还包括Pr和/或RH，所述RH为重稀土元素；

其中，所述Pr的含量较佳地在0.3wt.％以下，例如0.2wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比；

其中，所述RH的含量较佳地为0.4～1.5wt.％，例如0.4wt.％、0.6wt.％、0.8wt.％、1wt.％、1.2wt.％、1.4wt.％或1.5wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比；

其中，所述RH的种类较佳地包括Tb和/或Dy；

当所述的RH包含Tb时，所述Tb的含量较佳地为0.4～1.5wt.％，例如0.4wt.％、0.6wt.％、0.8wt.％、1wt.％、1.2wt.％或1.5wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比；

当所述的RH包含Dy时，所述Dy的含量较佳地为0.4～1.5wt.％，例如0.6wt.％或1.4wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比；

其中，所述RH的原子百分含量与所述R的原子百分含量的比值在0.1以下，例如0.02、0.04或0.06。

4.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述B的含量为0.96～1.05wt.％，例如0.99wt.％；

和/或，所述B的原子百分含量与所述R-T-B磁体中R的原子百分含量的比值在0.38以上，例如0.4、0.41、0.42、0.43、0.44或0.45；

和/或，所述Fe的含量为65～69wt.％，例如64.26wt.％、64.52wt.％、66.08wt.％、67.01wt.％、67.2wt.％、67.25wt.％、67.27wt.％、67.35wt.％、67.36wt.％、67.48wt.％、67.56wt.％或67.58wt.％；

和/或，所述的R-T-B磁体中还包括Co；

其中，所述Co的含量较佳地在3wt.％以下，例如1.4wt.％、2.5wt.％或3wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比。

5.如权利要求1～4中任一项所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述Nb的含量为0.2～0.3wt.％，例如0.2wt.％、0.25wt.％、0.26wt.％或0.3wt.％；

和/或，所述Ti的含量为0.1～0.45wt.％，例如0.12wt.％、0.13wt.％、0.14wt.％、0.15wt.％、0.2wt.％、0.4wt.％或0.45wt.％；

和/或，所述Cu的含量为0.45～0.7wt.％，例如0.45wt.％、0.53wt.％、0.56wt.％或0.7wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比；

和/或，所述Cu的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为0.6～2.8，例如0.6、0.8、1.2、1.4、1.5、1.9或2.8。