[发明专利]一种沉积掺杂晶硅薄膜后真空腔体的清洁方法有效
| 申请号： | 202110282291.8 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113053718B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘奇尧;上官泉元 | 申请（专利权）人： | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种沉积掺杂晶硅薄膜后真空腔体的清洁方法，包括如下步骤：S1.切断镀膜工艺后，将清洁用氧气通入到真空腔体中，压强为0.10‑100pa；S2.向腔体内供电；S3.停止供电、供氧；S4.将腔体回填氮气，腔体内压强为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 沉积 掺杂 薄膜 空腔 清洁 方法 | ||
【主权项】：
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