[发明专利]一种沉积掺杂晶硅薄膜后真空腔体的清洁方法有效
| 申请号： | 202110282291.8 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113053718B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘奇尧;上官泉元 | 申请（专利权）人： | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 掺杂 薄膜 空腔 清洁 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沉积掺杂晶硅薄膜后真空腔体的清洁方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.向镀膜工艺后的真空腔体内通入氧气；
S2.向腔体内放电，电源功率为500-50000W，放电时间为10-20分钟，放电过程中线性离子源将氧气离子化所形成的氧等离子体可以对腔体中集聚的含磷或含硼的副产物以及部分未完全分解的磷烷、硼烷进行充分清洁；
S3.停止供电、供氧；
S4.吹扫：向腔体内回填氮气至腔体内压强为1×104pa，并抽出腔体内气体至压强下降到5pa以下；
S5.重复执行步骤S4，重复次数为15-30次；
S6.最后，将真空腔体回填至大气状态。
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