[发明专利]非易失性存储装置在审
申请号: | 202110281374.5 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN113497057A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 金森宏治;姜书求;柳孝俊;赵相渊;韩智勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括:导电板;阻挡导电膜,所述阻挡导电膜沿着所述导电板的表面延伸;模制结构,所述模制结构包括顺序地堆叠在所述阻挡导电膜上的多个栅电极;沟道孔,所述沟道孔穿透所述模制结构以暴露所述阻挡导电膜;杂质图案,所述杂质图案与所述阻挡导电膜接触,并且形成在所述沟道孔中;和半导体图案,所述半导体图案形成在所述沟道孔中,自所述杂质图案起沿着所述沟道孔的侧表面延伸,并且与所述多个栅电极相交。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的