[发明专利]非易失性存储装置

说明书

提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：导电板；阻挡导电膜，所述阻挡导电膜沿着所述导电板的表面延伸；模制结构，所述模制结构包括顺序地堆叠在所述阻挡导电膜上的多个栅电极；沟道孔，所述沟道孔穿透所述模制结构以暴露所述阻挡导电膜；杂质图案，所述杂质图案与所述阻挡导电膜接触，并且形成在所述沟道孔中；和半导体图案，所述半导体图案形成在所述沟道孔中，自所述杂质图案起沿着所述沟道孔的侧表面延伸，并且与所述多个栅电极相交。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0033824的优先权，其内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法，并且更具体地，涉及包括杂质区域的非易失性存储装置及其制造方法。

背景技术

半导体存储装置可以大致分类为易失性存储装置和非易失性存储装置。非易失性存储装置在电源关闭时会保留所存储的数据，并且通常用于长期的二级存储。

当前，诸如基于NAND或NOR的闪存装置的各种非易失性存储装置已经被广泛使用。同时，非易失性存储装置的集成度已经被提高以满足消费者期望的高性能和低成本。顺便提及，在二维或平面存储装置的情况下，集成度由单位存储单元占据的面积确定，并且可能已经达到其极限。因此，近来，已经开发了单位存储单元垂直放置的三维存储装置。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种具有增强的产品可靠性和性能的非易失性存储装置。

本发明的示例性实施例还提供了一种用于制造非易失性存储装置的方法，该方法能够制造具有增强的产品可靠性和性能的非易失性存储装置。

根据本发明的示例性实施例，提供一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：导电板；阻挡导电膜，所述阻挡导电膜沿着所述导电板的表面延伸；模制结构，所述模制结构包括顺序地堆叠在所述阻挡导电膜上的多个栅电极；沟道孔，所述沟道孔穿透所述模制结构以暴露所述阻挡导电膜；杂质图案，所述杂质图案与所述阻挡导电膜接触，并且形成在所述沟道孔中；和半导体图案，所述半导体图案形成在所述沟道孔中，自所述杂质图案起沿着所述沟道孔的侧表面延伸，并且与所述多个栅电极相交。

根据本发明的示例性实施例，提供一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：模制结构，所述模制结构包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述模制结构包括从所述第一表面朝向所述第二表面交替堆叠的多个模制绝缘膜和多个栅电极；第一导电板，所述第一导电板沿着所述模制结构的所述第一表面延伸，并形成在所述模制结构的所述第一表面上；第一阻挡导电膜，所述第一阻挡导电膜沿着所述模制结构的所述第一表面延伸，并介于所述模制结构和所述第一导电板之间；沟道孔，所述沟道孔从所述第二表面朝向所述第一表面延伸并穿透所述模制结构；第一杂质图案，所述第一杂质图案与所述第一阻挡导电膜接触，并形成在所述沟道孔中；半导体图案，所述半导体图案从所述第一杂质图案朝向所述模制结构的所述第二表面延伸，并形成在所述沟道孔中；和位线，所述位线连接到所述半导体图案，并形成在所述模制结构的所述第二表面上。