[发明专利]电沉积制备镍钴碳化硅复合镀层的方法在审

专利信息
申请号: 202110270066.2 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN112981477A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 阚洪敏;孟媛媛;王晓阳;龙海波;孔令明;陈硕 申请(专利权)人: 沈阳大学
主分类号: C25D3/56 分类号: C25D3/56;C25D5/34;C25D15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种电沉积制备Ni‑Co‑SiC复合镀层的方法:在通风橱中,将PEI与称量好的SiC装入盛有去离子水的烧杯中,利用磁力搅拌、超声波分散各10‑120分钟,进行预包覆。将称取好的氯化镍、硫酸镍、硫酸钴、硼酸倒入烧杯中,再在磁力搅拌器和超声波中各分散10‑120分钟。PEI和SiC浓度分别控制在0.02g/L‑0.2 g/L和2g/L‑6 g/L。以镍板做阳极,铜片做阴极,控制电流密度为1‑5A/dm2,温度为30‑60℃,电沉积1‑2小时,即可获得SiC分布较均匀且晶粒较小的Ni‑Co‑SiC复合镀层。该法使用PEI预包覆易团聚的纳米SiC颗粒,使SiC颗粒表面优先充分吸附PEI,避免表面活性剂和槽内其他添加剂在颗粒表面竞争吸附,以改善SiC纳米颗粒分散性。该法对设备要求不高、工艺简单、成本低廉,制备出的复合镀层致密平整且平均晶粒较小,镀层质量好。
搜索关键词: 沉积 制备 碳化硅 复合 镀层 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳大学,未经沈阳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110270066.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top