[发明专利]电沉积制备镍钴碳化硅复合镀层的方法在审
申请号: | 202110270066.2 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN112981477A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 阚洪敏;孟媛媛;王晓阳;龙海波;孔令明;陈硕 | 申请(专利权)人: | 沈阳大学 |
主分类号: | C25D3/56 | 分类号: | C25D3/56;C25D5/34;C25D15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
一种电沉积制备Ni‑Co‑SiC复合镀层的方法:在通风橱中,将PEI与称量好的SiC装入盛有去离子水的烧杯中,利用磁力搅拌、超声波分散各10‑120分钟,进行预包覆。将称取好的氯化镍、硫酸镍、硫酸钴、硼酸倒入烧杯中,再在磁力搅拌器和超声波中各分散10‑120分钟。PEI和SiC浓度分别控制在0.02g/L‑0.2 g/L和2g/L‑6 g/L。以镍板做阳极,铜片做阴极,控制电流密度为1‑5A/dm |
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搜索关键词: | 沉积 制备 碳化硅 复合 镀层 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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