[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110266655.3 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN115083906A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李善雄;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供一基底；在基底表面形成凸起结构图案，凸起结构图案包含多个间隔分布的凸起结构；在凸起结构图案及基底表面沉积绝缘膜，且绝缘膜的最低处高于凸起结构图案的最高处；在绝缘膜表面沉积阻挡层；在阻挡层表面沉积金属层，且金属层的上表面为平面；采用化学机械研磨工艺从上至下依次研磨金属层、阻挡层及绝缘膜，直到凸起结构图案的上表面露出。使金属材料填充在绝缘膜上表面的凹陷处，利用金属材料在凹陷处相对坚硬特性，使化学机械研磨工艺在研磨到凸起结构图案的上表面露出时，位于凸起结构图案之间的绝缘膜不被过度研磨，从而避免出现CMP工艺的凹陷现象，提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110266655.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
