[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110266655.3 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN115083906A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李善雄;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底表面形成凸起结构图案，其中，所述凸起结构图案包含多个间隔分布的凸起结构；
在所述凸起结构图案及所述基底表面沉积绝缘膜，且所述绝缘膜的最低处高于所述凸起结构图案的最高处；
在所述绝缘膜表面沉积阻挡层；
在所述阻挡层表面沉积金属层，且所述金属层的上表面为平面；
采用化学机械研磨工艺从上至下依次研磨所述金属层、阻挡层及绝缘膜，直到所述凸起结构图案的上表面露出。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述采用化学机械研磨工艺从上至下依次研磨所述金属层、阻挡层及绝缘膜包括：
所述化学机械研磨工艺中使用的研磨液对所述金属层、阻挡层和绝缘膜的研磨去除率差距在10％以内。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述研磨液粒子的形态为胶体二氧化硅或气相二氧化硅。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凸起结构图案为栅极图案，所述栅极图案包含多个间隔分布的栅极。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，每个栅极包括形成在所述基底表面的导线、以及形成在所述导线的侧壁以及顶面上的间隔结构；
所述绝缘膜的最低处高于所述凸起结构图案的最高处具体为：所述绝缘膜的最低处高于所述间隔结构的最高处；
所述采用化学机械研磨工艺从上至下依次研磨所述金属层、阻挡层及绝缘膜，直到所述凸起结构图案的上表面露出具体为：采用化学机械研磨工艺从上至下依次研磨所述金属层、阻挡层及绝缘膜，直到所述栅极图案中的所述间隔结构的上表面露出。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凸起结构图案为鳍片图案，所述鳍片图案包含多个间隔分布的鳍片。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料为钨。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为钛、氮化钛、或由钛和氮化钛组成的混合物。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜中位于所述凸起结构图案上表面部分的厚度为
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为
11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度为
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110266655.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
