[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法、高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110261627.2 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN115084257A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王彦富;王博;封瑞泽;童志航;刘桐;丁芃;丁武昌;周静涛;杨枫;苏永波;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘贺秋 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明能够提供一种半导体器件结构及其制造方法、高电子迁移率晶体管。该半导体器件结构包括但不限于半导体衬底、多层台面层、功能层、帽层、栅极、源极及漏极。多层台面层设置于半导体衬底上方，功能层设置于多层台面层上；功能层用于形成沟道和势垒。帽层设置于功能层上，帽层上开设有凹槽。栅极形成于该凹槽内，栅极与功能层接触。源极和漏极均设置于帽层上。与现有技术相比，本发明能够提供一种具有双层台面或多层台面结构的异质集成半导体器件，能够极大地提升异质集成半导体器件的性能和可靠性。基于多层台面结构提升了用于连接源漏极和栅极的金属结构可靠性，本发明还能够有助于更充分利用异质衬底的优良电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制造 方法 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110261627.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
