[发明专利]复合型功率组件在审
申请号: | 202110260111.6 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN115084130A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 徐信佑;陈涌昌 | 申请(专利权)人: | 全宇昕科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 项荣;何春晖 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请公开一种复合型功率组件,其包含基材结构、绝缘层、介电层、金氧半场效晶体管、及齐纳二极管。金氧半场效晶体管形成于基材结构的晶体管形成区域中。齐纳二极管形成于基材结构的电路组件形成区域中,且包含形成于基材结构中且被绝缘层覆盖的齐纳二极管掺杂结构。齐纳二极管掺杂结构包含第一P型掺杂区及形成于第一P型掺杂区内侧的第一N型掺杂区。齐纳二极管另包含齐纳二极管金属结构,其形成于介电层上,且依序地贯穿介电层及绝缘层,以电性连接第一P型掺杂区及第一N型掺杂区。借此,本申请的复合型功率组件能通过将不同的电子组件(如:齐纳二极管)的形成整合在金氧半场效晶体管的结构中,以简化了制程复杂度。 | ||
搜索关键词: | 复合型 功率 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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