[发明专利]复合型功率组件

说明书

本申请公开一种复合型功率组件，其包含基材结构、绝缘层、介电层、金氧半场效晶体管、及齐纳二极管。金氧半场效晶体管形成于基材结构的晶体管形成区域中。齐纳二极管形成于基材结构的电路组件形成区域中，且包含形成于基材结构中且被绝缘层覆盖的齐纳二极管掺杂结构。齐纳二极管掺杂结构包含第一P型掺杂区及形成于第一P型掺杂区内侧的第一N型掺杂区。齐纳二极管另包含齐纳二极管金属结构，其形成于介电层上，且依序地贯穿介电层及绝缘层，以电性连接第一P型掺杂区及第一N型掺杂区。借此，本申请的复合型功率组件能通过将不同的电子组件(如：齐纳二极管)的形成整合在金氧半场效晶体管的结构中，以简化了制程复杂度。

技术领域

本申请涉及一种功率组件，特别是涉及一种复合型功率组件。

背景技术

在现有的功率组件中，如：金氧半场效晶体管(MOSFET)，若须要在电路设计中增加其它的电路组件(如：齐纳二极管)以形成具有特定功能的电子电路，该些电路组件需要通过焊接的方式与功率组件电性连接。然而，此种电路组件与功率组件的连接方式将增加产品制造的复杂度，且无法有效减少产品的体积。

于是，本申请人有感上述缺失之可改善，乃特潜心研究并配合学理之运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺失之本申请。

发明内容

本申请所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种复合型功率组件。

为了解决上述的技术问题，本申请所采用的其中一技术方案是，提供一种复合型功率组件，包括：一基材结构，包含有一基底层及形成于所述基底层上的一磊晶层；其中，所述磊晶层凹设有至少一沟槽，所述基材结构沿着其长度方向定义有一晶体管形成区域及相邻于所述晶体管形成区域的一电路组件形成区域，并且所述沟槽是位于所述晶体管形成区域中；一绝缘层，延伸地形成于所述磊晶层上及所述沟槽的内壁上；其中，所述绝缘层的位于所述沟槽的所述内壁的部位定义为一沟槽绝缘层，其包围形成有一凹槽，并且所述绝缘层的位于所述磊晶层表面上的部位定义为一披覆绝缘层；一介电层，形成于所述披覆绝缘层上；一金氧半场效晶体管，位于所述晶体管形成区域中，且包含：一闸极填充结构，形成于所述沟槽绝缘层的所述凹槽中；一基体掺杂结构，形成于所述磊晶层中且位于所述沟槽的周围区域，所述基体掺杂结构被所述披覆绝缘层覆盖；一源极金属结构，形成于所述介电层上，且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以接触所述基体掺杂结构；及一汲极金属结构，形成于所述基底层的一底面；以及一齐纳二极管，位于所述电路组件形成区域中，且包含：一齐纳二极管掺杂结构，形成于所述磊晶层中，且被所述披覆绝缘层所覆盖；其中，所述齐纳二极管掺杂结构包含有一第一P型掺杂区及一第一N型掺杂区；及一齐纳二极管金属结构，形成于所述介电层上，且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以接触所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一P型掺杂区及所述第一N型掺杂区，以使得所述齐纳二极管在通电时接受一逆向偏压。

可选地，在所述齐纳二极管中，所述第一P型掺杂区及所述第一N型掺杂区皆是自所述磊晶层的一顶面向下掺杂所形成，所述第一P型掺杂区的一掺杂深度大于所述第一N型掺杂区的一掺杂深度，并且所述第一P型掺杂区的一掺杂范围大于且涵盖所述第一N型掺杂区的一掺杂范围。

可选地，所述第一N型掺杂区形成于所述第一P型掺杂区的内侧，所述第一N型掺杂区的一顶面与所述第一P型掺杂区的一顶面共平面，且与所述磊晶层的所述顶面彼此切齐，并且所述第一N型掺杂区除了其顶面的外缘部分是被所述第一P型掺杂区所包围。

可选地，所述齐纳二极管金属结构包含有两个金属接脚，两个所述金属接脚彼此间隔设置，且皆依序地贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以分别电性连接于所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一N型掺杂区与所述第一P型掺杂区。