[发明专利]复合型功率组件

权利要求书

1.一种复合型功率组件，其特征在于，所述复合型功率组件包括：

一基材结构，包含有一基底层及形成于所述基底层上的一磊晶层；其中，所述磊晶层凹设有至少一沟槽，所述基材结构沿着其长度方向定义有一晶体管形成区域及相邻于所述晶体管形成区域的一电路组件形成区域，并且所述沟槽是位于所述晶体管形成区域中；

一绝缘层，延伸地形成于所述磊晶层上及所述沟槽的内壁上；其中，所述绝缘层的位于所述沟槽的所述内壁的部位定义为一沟槽绝缘层，其包围形成有一凹槽，并且所述绝缘层的位于所述磊晶层表面上的部位定义为一披覆绝缘层；

一介电层，形成于所述披覆绝缘层上；

一金氧半场效晶体管，位于所述晶体管形成区域中，且包含：

一闸极填充结构，形成于所述沟槽绝缘层的所述凹槽中；

一基体掺杂结构，形成于所述磊晶层中且位于所述沟槽的周围区域，所述基体掺杂结构被所述披覆绝缘层覆盖；

一源极金属结构，形成于所述介电层上且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以接触所述基体掺杂结构；及

一汲极金属结构，形成于所述基底层的一底面；以及

一齐纳二极管，位于所述电路组件形成区域中，且包含：

一齐纳二极管掺杂结构，形成于所述磊晶层中，且被所述披覆绝缘层所覆盖；其中，所述齐纳二极管掺杂结构包含有一第一P型掺杂区及一第一N型掺杂区；及

一齐纳二极管金属结构，形成于所述介电层上，且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以接触所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一P型掺杂区及所述第一N型掺杂区，以使得所述齐纳二极管在通电时接受一逆向偏压。

2.根据权利要求1所述的复合型功率组件，其特征在于，在所述齐纳二极管中，所述第一P型掺杂区及所述第一N型掺杂区皆是自所述磊晶层的一顶面向下掺杂所形成，所述第一P型掺杂区的一掺杂深度大于所述第一N型掺杂区的一掺杂深度，并且所述第一P型掺杂区的一掺杂范围大于且涵盖所述第一N型掺杂区的一掺杂范围。

3.根据权利要求2所述的复合型功率组件，其特征在于，所述第一N型掺杂区形成于所述第一P型掺杂区的内侧，所述第一N型掺杂区的一顶面与所述第一P型掺杂区的一顶面共平面，且与所述磊晶层的所述顶面彼此切齐，并且所述第一N型掺杂区除了其顶面的外缘部分是被所述第一P型掺杂区所包围。

4.根据权利要求2及3中任一项所述的复合型功率组件，其特征在于，所述齐纳二极管金属结构包含有两个金属接脚，两个所述金属接脚彼此间隔设置，且皆依序地贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以分别电性连接于所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一N型掺杂区与所述第一P型掺杂区。

5.根据权利要求4所述的复合型功率组件，其特征在于，所述齐纳二极管金属结构的其中一个所述金属接脚是延伸地接触于所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一N型掺杂区，且未接触于所述第一P型掺杂区，并且所述齐纳二极管金属结构的其中另一个所述金属接脚是延伸地接触于所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一P型掺杂区，且未接触于所述第一N型掺杂区；其中，在所述复合型功率组件通电时，连接于所述第一P型掺杂区的所述金属接脚之电位低于连接于所述第一N型掺杂区的所述金属接脚之电位，借以产生所述逆向偏压。

6.根据权利要求1所述的复合型功率组件，其特征在于，所述复合型功率组件进一步包括：一常规二极管；其中，所述常规二极管也位于所述电路组件形成区域中，且与所述齐纳二极管呈间隔设置，所述常规二极管包含：一常规二极管掺杂结构及一常规二极管金属结构；其中，所述常规二极管掺杂结构形成于所述磊晶层中，且被所述披覆绝缘层所覆盖，所述常规二极管掺杂结构包含一第二P型掺杂区及一第二N型掺杂区；所述常规二极管金属结构包含有两个金属接脚，所述常规二极管金属结构的两个所述金属接脚彼此间隔设置，且皆依序地贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以分别电性连接于所述常规二极管掺杂结构的所述第二N型掺杂区与所述第二P型掺杂区，以使得所述常规二极管在通电时接受一顺向偏压。