[发明专利]片上光源、片上光源的制备方法及光电子器件有效
| 申请号： | 202110259593.3 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113097356B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 尤洁;罗玉昆;郑鑫;杨杰;欧阳昊 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/18;H01L33/16;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 郑朝然 |
| 地址： | 100071 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种片上光源、片上光源的制备方法及光电子器件，在衬底上形成绝缘层，在绝缘层上形成光学阵列层，在光学阵列层上形成隔离层，在隔离层上形成二维材料层，在二维材料层上形成介质层，在介质层上形成双曲超材料层。其中，当光学阵列层的光子模式的谐振峰与二维材料层的激子峰的波长相等时，会导致二维材料层的发光强度增强。此外，双曲超材料层的表面等离子体激元会与二维材料层产生强耦合作用，进一步增强珀塞尔效应。本发明利用双曲超材料增强二维材料的珀塞尔效应，不仅能够实现片上光源的发光强度的显著提升，还能实现高发光效率和快响应速度并且尺寸小、结构紧凑、易于高密度集成和具备良好的CMOS集成工艺兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 光源 制备 方法 光电子 器件 | ||
【主权项】：
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