[发明专利]一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法在审
| 申请号： | 202110256766.6 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN115050825A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 付建波;宗华;蒋盛翔 | 申请（专利权）人： | 广西飓芯科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L33/40;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 545003 广西壮族自治区柳州市杨柳路与通贤路交叉*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低比接触电阻率的p型III‑V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法。该方法使用delta掺杂技术来生长p型III/V族氮化物半导体材料的Mg高掺接触层，有效的提高了Mg的掺杂浓度，从而提高了接触界面的空穴浓度，使得导电电极与半导体界面的势垒变薄，电子可以通过隧穿效应穿过界面势垒，形成良好的欧姆接触，降低接触电阻，进而降低发热量，提高器件寿命。本发明对降低比接触电阻率有优异的效果，并且具有制备效率高，材料适应性更广泛的特点，从而更具有使用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电阻率 iii 半导体材料 导电 电极 欧姆 制备 方法 | ||
【主权项】：
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