[发明专利]一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法

权利要求书

1.一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法，其特征在于，采用delta掺杂技术生长重掺杂接触层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用delta掺杂技术生长重掺杂接触层，是在采用MOCVD工艺生长p型III-V族半导体材料的过程中进行一次或多次的delta掺杂操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用delta掺杂技术生长重掺杂接触层，掺杂的元素为Mg，Mg的平均掺杂浓度为10²⁰/cm³以上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，接触层的生长速率控制在5～15nm/min，生长温度控制在700～900℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在开始生长接触层后，先常规生长0～5nm后，开始进行第一次delta掺杂生长，然后进行周期性的delta掺杂生长，两次delta掺杂之间的间隔厚度为1～10nm。

6.根据权利要求5述的方法，其特征在于，进行delta掺杂的次数由接触层厚度和周期间隔决定，接触层厚度为1～30nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在完成delta掺杂的接触层生长之后，激活掺入元素的受主能级。

8.一种低比接触电阻率的欧姆接触电极，其特征在于，包括接触层和位于所述接触层之上的导电电极层，所述接触层是采用权利要求1～7中任一权利要求所述方法制备的接触层。

9.根据权利要求8所述的低比接触电阻率的欧姆接触电极，其特征在于，所述导电电极层采用Ni/Au或Pd/Pt/Au或者透明导电材料ITO、AZO作为电极。

10.一种半导体器件，其特征在于，包含权利要求8和9所述的低比接触电阻率的欧姆接触电极。