[发明专利]一种快速去除卤化物钙钛矿薄膜表面缺陷的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用有效
| 申请号: | 202110245927.1 | 申请日: | 2021-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN113130759B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 傅年庆;李培育;江雄灼;张果戈;杜军 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
| 地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种快速去除卤化物钙钛矿薄膜表面缺陷的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。该方法包括:将卤化物钙钛矿前驱体沉积在衬底上,退火晶化处理,得到钙钛矿薄膜,浸泡在洗涤溶剂中进行超声清洗处理,冲洗,挥干钙钛矿薄膜表面上的溶剂,得到去除表面富缺陷层的钙钛矿薄膜。该方法可在室温下快速完成,工艺流程简单、成本低。本发明可大幅度降低钙钛矿薄膜表面缺陷密度,减少电荷的非辐射复合损耗。将制备的低缺陷密度钙钛矿吸光层应用于钙钛矿太阳能电池时,刚性平面结构电池可获得超过20%的光电转化效率。本发明为高性能钙钛矿太阳能电池的大面积、快速制备打下了坚实的基础,同时在光电子器件、LED等领域亦有应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 快速 去除 卤化物 钙钛矿 薄膜 表面 缺陷 方法 及其 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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