[发明专利]一种快速去除卤化物钙钛矿薄膜表面缺陷的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用有效

专利信息
申请号: 202110245927.1 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN113130759B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 傅年庆;李培育;江雄灼;张果戈;杜军 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种快速去除卤化物钙钛矿薄膜表面缺陷的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。该方法包括:将卤化物钙钛矿前驱体沉积在衬底上,退火晶化处理,得到钙钛矿薄膜,浸泡在洗涤溶剂中进行超声清洗处理,冲洗,挥干钙钛矿薄膜表面上的溶剂,得到去除表面富缺陷层的钙钛矿薄膜。该方法可在室温下快速完成,工艺流程简单、成本低。本发明可大幅度降低钙钛矿薄膜表面缺陷密度,减少电荷的非辐射复合损耗。将制备的低缺陷密度钙钛矿吸光层应用于钙钛矿太阳能电池时,刚性平面结构电池可获得超过20%的光电转化效率。本发明为高性能钙钛矿太阳能电池的大面积、快速制备打下了坚实的基础,同时在光电子器件、LED等领域亦有应用前景。
搜索关键词: 一种 快速 去除 卤化物 钙钛矿 薄膜 表面 缺陷 方法 及其 太阳能电池 中的 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110245927.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top